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GaN功率放大器采用业界领先的100nm栅宽硅基氮化镓工艺技术D01GH生产制备。

产品型号 工作频率(GHz)增益(dB)P1dB(dBm)Psat(dBm)供电(V)芯片面积(mm*mm)封装形式 详情
YGPA01-3034C1 30 - 33.522 - 39 +12V@2500mA4.54×3.51Die 点击下载
YGPA02-3743C1 37 - 43184041+12.0V@2700mA3.60×2.80Die 点击下载
YGPA03-0120C1 0.5-2022-35+12V@700mA-Die 点击下载
YGPA04-0618C1 6-1820-41+12.0V-Die 点击下载
YGPA05-1317C1 13 - 1730-40+12.0V-Die 点击下载
YGPA06-3337C1 33 - 37203438.5+12.0V@2200mA2.50×3.00Die 点击下载
YGPA07-2629C1 26-29203940+12.0V@4000mA3.50×2.50Die 点击下载
YGPA08-1518C1 15 - 18223840.7+12.0V@2000mA2.50×3.00Die 点击下载
YGPA09-4346C1 43 - 4620 -39+28.0V@1400mA3.70×3.20Die 点击下载
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Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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